Investigation Of GaAs MIS Deposited By PECVD Method
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| 1. | Titre | Titre du document | Investigation Of GaAs MIS Deposited By PECVD Method |
| 2. | Créateur | Nom de l'auteur, affiliation, pays | Hamza JAOUDARI; Laboratory of Engineering and Materials (LIMAT), Faculty of Sciences Ben M'sick, Hassan II University of Casablanca, Morocco; MAROC |
| 2. | Créateur | Nom de l'auteur, affiliation, pays | Wafaa ZIBAR; Laboratory of Engineering and Materials (LIMAT), Faculty of Sciences Ben M'sick, Hassan II University of Casablanca, Morocco; MAROC |
| 2. | Créateur | Nom de l'auteur, affiliation, pays | Dounia FATIHI; Laboratory of Engineering and Materials (LIMAT), Faculty of Sciences Ben M'sick, Hassan II University of Casablanca, Morocco; MAROC |
| 2. | Créateur | Nom de l'auteur, affiliation, pays | Bouchra IFEGOUS; Laboratory of Engineering and Materials (LIMAT), Faculty of Sciences Ben M'sick, Hassan II University of Casablanca, Morocco; MAROC |
| 2. | Créateur | Nom de l'auteur, affiliation, pays | Rhma ADHIRI; Laboratory of Engineering and Materials (LIMAT), Faculty of Sciences Ben M'sick, Hassan II University of Casablanca, Morocco; MAROC |
| 3. | Sujet | Discipline(s) | |
| 3. | Sujet | Mot(s)-clé(s) | MIS ; Gallium arsenide; silicon nitride; capacitance–voltage; interface state ; PECVD; Terman method. |
| 4. | Description | Résumé | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride Si3N4 is commonly used to passivate surface states and to encapsulate III-V devices and circuits; this method has been used for Metal-oxide-semiconductor (MIS) capacitors in the GaAs semiconductor to improve the device. In this work, measurements are performed to obtain capacitance voltage (C–V) and conductance (G–V), measurements have been carried out in the frequency range of 10 kHz–1MHz and bias voltage range of (−6V) to (14V) at room temperature. Using the Terman method, the interface trap density is extracted from C–V curves. The Dit is responsible for the non-ideal behavior of C-Vg and G-Vg leading to the breakdown of such device. |
| 5. | Éditeur | Agence organisatrice, lieu | |
| 6. | Contributeur | Commanditaire(s) | université Hassan II de Casablanca |
| 7. | Date | (AAAA-MM-JJ) | 20-02-2023 |
| 8. | Type | Statut & genre | Article évalué par les pairs |
| 8. | Type | Type | |
| 9. | Format | Format de fichier | |
| 10. | Identifiant | URI | https://revues.imist.ma/index.php/REINNOVA/article/view/38204 |
| 10. | Identifiant | Digital Object Identifier (DOI) | https://doi.org/10.34874/IMIST.PRSM/reinnova-v5i18.38204 |
| 11. | Source | Titre de revue/conférence; vol., no. (année) | REVUE DE L’ENTREPRENEURIAT ET DE L’INNOVATION; Vol. 5, No 18 (2023) |
| 12. | Langue | Français=fr | fr |
| 13. | Relation | Fichiers supp. | |
| 14. | Couverture | Localisation géo-spatiale, période chronologique, échantillon de recherche (sexe, âge, etc.) | |
| 15. | Droits | Droit d'auteur et autorisations |
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